半導体論理集積回路は、パソコンなどの日用製品からロボットなどの産業製品における"頭脳"の役割を果たしています。しかしながら、素子の微細化に伴いリーク電流が増大し、消費電流の半分以上が待機時のリーク電流として消費されてしまいます。付け加えて、現在の論理集積回路は、演算機能と記憶機能が分離しているため、繋ぐ配線の抵抗に起因した信号遅延が生じてしまい、高速演算時の障害となる問題を抱えています。
　従来のMOSFETに対して、提案するデバイスでは、(1)化合物半導体チャネルによる高速化、(2)微細化に適した高い磁気異方性を有する垂直磁化強磁性電極、(3)ゲート電界による磁化制御の3つの新規性を有し、その基盤技術として既に、半導体GaAs上への垂直磁化を有するL1₀-FePtのエピタキシャル成長(発表論文1)、高品位マルチフェロイック材料の実現(発表論文2)、ゲート電界による強磁性体の保持力変調(発表論文3)を確立しています。

スピンMOSFETは、演算機能と不揮発機能を併せ持つ新しいトランジスタです。これにより再構成可能な論理回路の実現やパワーゲーティングによる省電力化が可能となります。同時に、スピンMOSFETを構成する各要素技術、垂直磁化材料から半導体へのスピン注入や、高品位ゲート絶縁膜形成技術、などは独立して他の分野への応用可能な基盤技術になると考えております。