薄膜材料を構成する各元素の蒸着量を高精度に制御するために、MBE装置に元素弁別可能な蒸着レートセンサ、フィードバック回路を設けました。この装置を使うことにより、化学組成が精密制御された高品質薄膜の作製や、従来は蒸着法による薄膜作製が不可能だった多元機能材料（太陽電池材料 Cu(InGa)Se₂等）の薄膜作製も容易になります。

　一般に、多元化合物薄膜の成長では人為的な組成制御が不可欠ですが、従来のMBE装置は蒸発フラックス比の正確かつ再現性の良い制御が困難でした。組成制御に当たっては、蒸発フラックスの元素識別可能な原子吸光分光や原子発光分光を原理とした蒸発レート制御器が有用であることから、本研究グループではMBE装置に電子衝撃発光分光（EIES）レート制御装置と原子吸光分光（AAS）レート制御装置を搭載し、従来の弱点を克服しました。

　MBE法は本来、他の成膜法と比較して長所の多い成膜法です。超高真空中の清浄雰囲気下での成膜が可能なこと、成長プロセスが単純であるため低温成長が可能なこと、大面積化が可能でデバイス作製のコスト低下を実現できること、などが挙げられます。組成制御という唯一最大の弱点が克服されたことにより、今後、次世代の電子・磁気薄膜素子の成膜法の主流となり得ると期待しています。
　蒸着レート制御MBE、薄膜成長の研究・開発に興味を持たれている企業との情報交換や共同研究をご希望の企業を募集しています。